Новата памет се отличава със значително по-ниска консумация, в сравнение с DRAM чиповете със същия капацитет, но произведени по 30-нанометров процес. В работен режим разликата е 25-30%, а в при изчакване варира между 30% и 50%.
Освен това преходът от 30- към 25-нанометров процес позволява от една силициева пластина да се произведат с 45% повече чипове с плътност 4 гигабита.
Коментари от регистрирани и анонимни потребители. Скрий анонимните коментари