Южнокорейската компания Samsung съобщи, че е създала първата в света DRAM памет, базирана на 40-нанометровата технология, предаде IDG.BG.

Производителят демонстрира образци на 40-нанометрови DDR2 микрочипове с капацитет 1 GB, както и DDR2-800 модули също с обем 1 GB.

Микросхемите са сертифицирани за работа с чипсетите Intel GM45 Express, предназначени за преносими компютри.

Разработчикът смята, че DRAM микросхемата, разработена по 40-нанометровата технология, използва 30% по-малко енергия в сравнение с чиповете, произведени по 50-нанометровия технологичен процес.

Това означава, че новите модули ще позволят да се увеличи времето за автономна работа на ноутбука.

Samsung планира да започне масово производство на DRAM микросхемите, създадени по 40-нанометровия метод, в края на текущата година.

Производителят има намерение през 2010 г. да пусне на пазара DDR2 микросхеми, разработени по новия технологичен процес.