Toshiba, IBM и AMD обявиха, че са разработили съвместно клетка на статична памет с произволен достъп (Static Random Access Memory, SRAM), площта на която е 0,128 квадратни микрометра.

Това е най-малката в света функционираща клетка SRAM, предаде PCworld.bg.

По размери тя е с 50% по-малка от предишния рекордьор.

В разработката са използвани полеви транзистори от типа FinFET, произвеждани по технологията HKMG (high-k/metal gate).
Както е известно, SRAM клетките са ключов компонент на повечето интегрални схеми, например микропроцесорите.

Намаляването на размерите на клетките ще позволи да се намалят размерите и консумацията на енергия от процесорите, като едновременно с това ще се повиши тяхното бързодействие.

Моделирането на клетка с площ 0,063 кв.мкм, съответства на 22 nm технологичен процес и потвърждава, че от гледна тока на стабилността клетките от FinFET транзистори превъзхождат паметта от планарни транзистори.