IBM ще започне производство на ново устройство за съхранение на данни, изградено с CMOS технология и вертикални електрически проводници (TSV).

Усъвършенстваният процес на IBM за производство на TVS чипове ще даде възможност на Hybrid Micron Memory Cube (HMC) на Micron Technology да постигне 15 пъти по-висока скорост от тази на съвременните памети като DDR3.

"Способността ни да използваме TSV за масово производство на CMOS, като интегрираме и други чип технологии, е много съществен успех за преминаването към производство на триизмерни полупроводници", коментира Субу Ийер, IBM Fellow.

HMC дава гъвкаво и енергийно ефективно решение за съхранение на информация, допълва Скот Греъм, генерален мениджър на DRAM Solutions в Micron. Новата памет изисква 70% по-малко енергия за трансфер на данни и има малки размери – само 10% от размера на традиционните устройства за съхранение.

Компонентите за HMC ще бъдат изработвани в завода за полупроводници на IBM в Ийст Фишкил, Ню Йорк, като при производството ще се използва 32-нанометровата технология High-K/Metal Gate.

IBM представи TSV технологията на международната среща IEEE International Electron Devices Meeting. Компанията обяви и няколко открития, които биха могли да спомогнат за създаване на значително по-малки, по-бързи и по-мощни компютърни чипове.

Учените от IBM са разработили нови материали и архитектура на пластина с диаметър 200 мм, като са използвани графен, въглеродни нанотръби и „Racetrack” памет. Тези открития могат да станат технологична основа за обединяване на  компютърни системи, комуникации и потребителска електроника, твърдят от компанията.